Exercice 1 : Jonction PQ - Transistor MEFESSE à effet de chant

Un semi-conducteur de type AsGaAPt dopé Q par des amphétamines est mis en contact avec un semi-conducteur de type MaNrV dopé P. On note n la concentration en électrons dans le domaine P et p la concentration en trous dans le Q (on rappelle que la base de MEFESSE se polarise en direct).

I. Système simple épaisseur

1. Exprimez la concentration n_i en trous un (arrière) train sec.
2. En déduire si un phénomène d'avalanche peut avoir lieu dans la ZCE (Zone où Caralp Escalade).
3. Expliquez en deux ou trois lignes une méthode pour obtenir un collecteur pour MEFESSE. La méthode par épitaxie (sous vide) peut-elle être envisagée ?
4. Donnez la concentration en trous sur une grille (attention, il y a un piège). Déduisez-en la capacité de la jonction PQ-MEFESSE.
5. Qu'est-ce qu'un électron législatif ?
6. Expliquez les phénomènes de transit des trous.
7. Trouvez-vous potable le jeu de mot de la question I. 5. ?

II. Système épaisseur triple (Moltonel Paper System)

1. On remarque que la caractéristique de la jonction PQ triple épaisseur est plus douce que la simple épaisseur. Calculez la résistance de la jonction.
2. Comparez celle-ci à celle d'un transistor bipolaire de type NTM (ce type de composant possède un domaine P de la même taille que MEFESSE mais le Q est plus large).
3. Application numérique (transistor NTM). On donne :

n = 3

p = 2

dim : 95/60/90

il est 10h30

Quelle radio captez-vous ?

Pour cet exercice, les annales sont autorisées.

Questions de cours

1. Quel sweat-shirt portait votre professeur le 12 février ?
2. Et le 13 ?
3. Expliquez le cours de A à H.
4. Expliquez le cours de H à Z.